Juried Engineering ON SemiconductorFairchild 2N5551 Bipolar (BJT) Transistor individual, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE (paquete de 25)
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Precio y disponibilidad de Juried Engineering ON SemiconductorFairchild 2N5551 Bipolar (BJT) Transistor individual, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE (paquete de 25)
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🛒 Comprar ahoraEl 2N5551 de Fairchild es un agujero pasante, NPN amplificador de propósito general en paquete TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alto voltaje de uso general y controladores de pantalla de descarga de gas.
Beneficios clave de Juried Engineering ON SemiconductorFairchild 2N5551 Bipolar (BJT) Transistor individual, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE (paquete de 25)
- Colector para emisor de voltaje de ruptura de 160 V.
- Colector a emisor de voltaje de saturación de 200 mV a 50 mA de corriente del colector.
- Disipación de potencia de 625 mW, rango de temperatura de funcionamiento de -67.0 °F a 302.0 °F.
- Corriente del colector de CC de 600 mA, ganancia de corriente CC de 30 a Ic=50 mA.
- Ejemplo de aplicaciones: procesamiento de señal, gestión de energía, dispositivos portátiles, electrónica de consumo, industrial.
- El número de Modelo (ItemModelNumber)
- 2N5551
- Disipación de potencia de 625 mW
- rango de temperatura de funcionamiento de -67.0 °F a 302.0 °F.
- Corriente del colector de CC de 600 mA
- ganancia de corriente CC de 30 a Ic=50 mA.
- Ejemplo de aplicaciones: procesamiento de señal
- gestión de energía
- dispositivos portátiles
- electrónica de consumo
- industrial.
Ficha técnica
- Fabricante
- Juried Engineering
- SKU
- B08JV1SGVL
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