XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V

Descripción
Parámetros del producto y aplicación: 1. Voltaje de trabajo: DC 4V-60V; 2. Fuente de señal de disparo: disparador de alto nivel (DC3.0V-24V), disparador de bajo nivel (DC 0.0V-0.6V), control de valor de conmutación, se puede conectar al puerto IO del microcontrolador, interfaz PLC, fuente de alimentación de CC, etc., se puede conectar a señal PWM, frecuencia de señal 0-2.5KHZ soporte. 3. Capacidad de salida: DC 4V-60V, corriente continua 10A a temperatura ambiente, potencia 600W! En condiciones auxiliares de disipación de calor, la corriente puede alcanzar 15A. 4. Aplicación: El terminal de salida puede controlar equipos de alta potencia, motores, bombillas, tiras de luz LED, motores de CC, bombas de agua micro, válvulas de solenoide, etc. Puede ingresar PWM para controlar la velocidad del motor, el brillo de la lámpara, el etc. 5: Vida útil: tiempos de conmutación ilimitados; Temperatura de trabajo: °F-185.0 °F; Tamaño: 1.8 * 1.1 * 0.6 in
Características
Este módulo soporta disparo de alto nivel, disparo de bajo nivel, control de conmutación y control PWM Se utiliza la salida activa paralela dual MOS importada original, con menor resistencia interna, mayor corriente y fuerte potencia. Es de 10 A y 600 W a temperatura ambiente, satisfaciendo el uso de la mayoría de equipos Soporta voltaje ultra amplio: CC 4 V ~ 60 V; logra fácilmente el control de dispositivos de alta potencia. Rango de voltaje de disparo de bajo nivel: CC 0 V-0,6 V, señal de disparo a 0 V-0,6 V, transistor MOS está encendido; por encima de 3,0 V, el transistor MOS está apagado; el voltaje de la señal no puede ser 0,6 V-3,0 V, porque el tubo MOS no está completo circuito abierto, la salida de alta potencia dañará MOS. Rango de voltaje de disparo de alto nivel: CC 3.0 V ~ 24 V, es decir, cuando la señal es de 3.0 V ~ 24 V, el transistor MOS está encendido; si es inferior a 0.6 V, es decir, 0 V ~ 0.6 V, el tubo MOS está apagado, y el voltaje de señal no debe estar entre 0.6 V y 3.0 V. De esta manera, el MOS está en un estado abierto incompleto, y el MOS se quema durante el uso de alta potencia;
Peso
1.00 Pounds
Dimensiones
7,08 x 4,72 x 0,7 pulgadas
Fabricante es ‎JESSINIE
Destacados
Este módulo soporta disparo de alto nivel, disparo de bajo nivel, control de conmutación y control PWM, Se utiliza la salida activa paralela dual MOS importada original, con menor resistencia interna, mayor corriente y fuerte potencia. Es de 10 A y 600 W a temperatura ambiente, satisfaciendo el uso de la mayoría de equipos, Soporta voltaje ultra amplio: CC 4 V ~ 60 V; logra fácilmente el control de dispositivos de alta potencia., Rango de voltaje de disparo de bajo nivel: CC 0 V-0,6 V, señal de disparo a 0 V-0,6 V, transistor MOS está encendido; por encima de 3,0 V, el transistor MOS está apagado; el voltaje de la señal no puede ser 0,6 V-3,0 V, porque el tubo MOS no está completo circuito abierto, la salida de alta potencia dañará MOS., Rango de voltaje de disparo de alto nivel: CC 3.0 V ~ 24 V, es decir, cuando la señal es de 3.0 V ~ 24 V, el transistor MOS está encendido; si es inferior a 0.6 V, es decir, 0 V ~ 0.6 V, el tubo MOS está apagado, y el voltaje de señal no debe estar entre 0.6 V y 3.0 V. De esta manera, el MOS está en un estado abierto incompleto, y el MOS se quema durante el uso de alta potencia;
La calificación que le dan a XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V, 1 calificación usuarios es de 5.0 sobre 5 estrellas.
El País de Origen (COO, siglas en inglés) o fabricación del producto XY-GMOS alta potencia MOS tubo FET interruptor de gatillo módulo controlador PWM acondicionado interruptor electrónico tablero de control DC 4V-60V es ‎China.