$122,777

Juried Engineering ON SemiconductorFairchild 2N5551 Bipolar (BJT) Transistor individual, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE (paquete de 25)

Disponibilidad: 7 disponibles

Pago seguro con

Ventajas de Comprar en Yaxa

  • Envío gratuito para compras superiores a $179.900 en 1 o más productos
  • Pagos seguros - La pasarela es la que procesa y almacena tu pago
  • Compras Empresariales - Se entrega Factura Electrónica
  • Compra Internacional
  • Tiempo de entrega de 7 a 15 días hábiles

Colector para emisor de voltaje de ruptura de 160 V., Colector a emisor de voltaje de saturación de 200 mV a 50 mA de corriente del colector., Disipación de potencia de 625 mW, rango de temperatura de funcionamiento de -67.0 °F a 302.0 °F., Corriente del colector de CC de 600 mA, ganancia de corriente CC de 30 a Ic=50 mA., Ejemplo de aplicaciones: procesamiento de señal, gestión de energía, dispositivos portátiles, electrónica de consumo, industrial.

SKU: B08JV1SGVL Categoría:
¿Necesitas ayuda?

Descripción

Descripción
El 2N5551 de Fairchild es un agujero pasante, NPN amplificador de propósito general en paquete TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alto voltaje de uso general y controladores de pantalla de descarga de gas.
Características
Colector para emisor de voltaje de ruptura de 160 V. Colector a emisor de voltaje de saturación de 200 mV a 50 mA de corriente del colector. Disipación de potencia de 625 mW, rango de temperatura de funcionamiento de -67.0 °F a 302.0 °F. Corriente del colector de CC de 600 mA, ganancia de corriente CC de 30 a Ic=50 mA. Ejemplo de aplicaciones: procesamiento de señal, gestión de energía, dispositivos portátiles, electrónica de consumo, industrial.
El número de Modelo (ItemModelNumber)
2N5551
Peso
1.00 Pounds
Fabricante es Juried Engineering
Destacados
Colector para emisor de voltaje de ruptura de 160 V., Colector a emisor de voltaje de saturación de 200 mV a 50 mA de corriente del colector., Disipación de potencia de 625 mW, rango de temperatura de funcionamiento de -67.0 °F a 302.0 °F., Corriente del colector de CC de 600 mA, ganancia de corriente CC de 30 a Ic=50 mA., Ejemplo de aplicaciones: procesamiento de señal, gestión de energía, dispositivos portátiles, electrónica de consumo, industrial.

Información adicional

Peso 1.00 kg

Valoraciones (0)

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “Juried Engineering ON SemiconductorFairchild 2N5551 Bipolar (BJT) Transistor individual, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE (paquete de 25)”

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Carrito de compra
Juried Engineering ON SemiconductorFairchild 2N5551 Bipolar (BJT) Transistor individual, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE (paquete de 25)Juried Engineering ON SemiconductorFairchild 2N5551 Bipolar (BJT) Transistor individual, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE (paquete de 25)
$122,777

Disponibilidad: 7 disponibles

chat
1
Yaxachat
Hola 👋
¿En qué podemos ayudarte?